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硅光芯片走向成熟SiFotonics全面进入光器件市场
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本文摘要:SiFotonicsTechnologies宣告其硅光PD/APD芯片涉及产品早已过市场检验渐渐南北成熟期,将利用硅光子技术显著的成本优势全面转入传统光器件市场。

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SiFotonicsTechnologies宣告其硅光PD/APD芯片涉及产品早已过市场检验渐渐南北成熟期,将利用硅光子技术显著的成本优势全面转入传统光器件市场。  时机成熟  经过近十年的希望和累积、数代产品的更替,SiFotonics的锗硅PD/APD芯片已在性能、量产能力、可靠性等方面获得充足的市场检验,目前各类产品已总计销售近100万颗,全面进占市场的时机早已成熟期。  高性价比  SiFotonics利用世界领先的硅光技术,由一流CMOS工厂代工生产8英寸PD/APD晶圆。

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利用硅光技术固有的成本优势,SiFotonics需要得出比同类产品更加较低的价格,以协助客户降低成本。  这并不是价格战,SiFotonicsCEO潘栋博士说道,硅光是一种颠覆性技术,比较的低成本是必定的结果之一。

我们的芯片获得了国内外众多厂商的反对和重复检验,目前各方面早已成熟期,现在正是我们用高性价比的产品期望市场的最佳时机。比起传统的单通道器件,我们能确保最少20%的价格优势,当然,只要量够大,还可以有更大空间。  很多时候,硅光产品又好又低廉,潘栋博士补足道,例如我们的10GAPD已被众多客户证实在很多应用于场景下展现出比传统III-V器件好。

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比如基于我们的10G1550nmAPD芯片的ROSA产品,灵敏度平均值超过-28.5dBm,已显著多达传统器件。  此外,硅基技术还带给另一个潜在优势:非气密PCB这种低成本PCB形式将有可能带给多达芯片本身的更加诱人的成本缩减。

目前SiFotonics与多家客户合作开发非气密PCB的光器件,经过检验其可靠性几乎满足要求。  着眼未来  锗硅APD的性能优势在更高速率下更为显著,SiFotonics近期发售的25GAPD芯片及TO-Can性能已做业界最低,此产品将未来将会推展100G-PON标准的创建和100G光纤终端技术的更慢构建。  遥相呼应硅光子技术,SiFotonics有数能力获取2.5G到25G全速率、仅有波段的PD/APD解决方案,这也使得客户有机会制订更加全面、极具持续性的技术路线。  这意味着是个开始,潘栋博士回应,获取高性价比的分立器件只是我们技术路线的第一步,我们的高集成化硅光芯片已转入客户评估阶段。

迅速,市场不会感受到更加强大的硅光构建芯片的冲击。


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